1) boron-doped amorphous silicon
硼掺杂非晶硅
2) boron doped a-Si resistor
掺硼非晶硅电阻
3) born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
4) boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
5) (B,Si)dopant
硼硅掺杂
6) doped polysilicon
掺杂多晶硅
补充资料:非晶硅太阳能电池材料
分子式:
CAS号:
性质: 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016~1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数,但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合,如手表、计算器等的电池。
CAS号:
性质: 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016~1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数,但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合,如手表、计算器等的电池。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条