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1)  boron-doped amorphous silicon
硼掺杂非晶硅
2)  boron doped a-Si resistor
掺硼非晶硅电阻
3)  born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
4)  boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
5)  (B,Si)dopant
硼硅掺杂
6)  doped polysilicon
掺杂多晶硅
补充资料:非晶硅太阳能电池材料
分子式:
CAS号:

性质: 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016~1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数,但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合,如手表、计算器等的电池。

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