1) GaAs light source
砷化镓光源
2) GaAs-junction light source
砷化镓结光源
3) GaAs p-n junction IR source
砷化镓p-n结红外光源
4) GaAs spontaneous infrared source
砷化镓自发红外光源
5) GaAs photoemission
砷化镓光电发射
6) GaAs photocathode
砷化镓光阴极
1.
The paper reviews the ion barrier adopted in 3~(rd) generation image intensifier,which has dual effects on the GaAs photocathode,protecting it from being damaged by ion feedback,at the same time degrading the quantum efficiency.
介绍了国外最新的三代像增强器,以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法,该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命,还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。
补充资料：砷化镓
| 砷化镓 gallium arsenide 一种化合物半导体材料。化学式GaAs，黑灰色固体。熔点1238℃，在600℃以下 ，能在空气中稳定存在，而且不为无氧化性的酸侵蚀。在一定的压力下，镓和砷的蒸气发生反应，便可合成砷化镓晶体。同锗和硅相比，砷化镓的禁带宽广大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，具有双能谷导带，用于制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条