1) global emissions
全球排放量 GE
2) Ge quantum dots
Ge量子点
1.
Thermal diffusion effect of self-assembled Ge quantum dots probed by fluorescence X-ray absorption fine structure;
自组装Ge量子点热扩散效应的XAFS研究
2.
Self-organized growth of Ge quantum dots by UHV/CVD;
UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)
3.
High density of Ge quantum dots (QDs) with size of less than 10 nm were obtained on Si(001) surface by optimizing the growth parameters.
通过调节生长参数,在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10nm的高密度Ge量子点。
3) Germanium
[英][dʒə:'meiniəm] [美][dʒɚ'meniəm]
Ge
1.
The Determination of Germanium and Impurities in Organic Germanium (Ge-132) by AAS;
原子吸收光谱法测定有机锗（Ge─132）中的锗及其杂质
2.
Scanning tunneling microscopy (STM) and x_ray photoemission spectroscopy (XPS) studies of germanium growth on Ru(0001) were carried out.
报道Ge在Ru(0 0 0 1)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜 (STM)和x射线光电子能谱 (XPS)研究 。
3.
Two metal-germanium schottky junctions on and under the waveguide were fabricated to form metal-germanium-metal photodetector and the dark current density of 0.
以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。
5) Ge/Si quantum dots
Ge/Si量子点
6) SiGe quantum dots
Si Ge量子点
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
补充资料：Genacron Yellow 3GE
分子式：C18H10BrNO3
分子量：368.19
CAS号：暂无
性质：深橙色粉状。难溶于乙醇，不溶于水。
制备方法：由2-甲基-3-羟基喹啉-4-羟酸与苯酐缩合，制得C.I.分散黄54，而后进行溴化而制得。
用途：主要用于涤纶纤维织物的印染，也可用于乙纤、锦纶、三乙酸纤维的染色。可用高温高压法、常温载体法和轧染/热固色（190℃）等方法进行印染。
分子量：368.19
CAS号：暂无
性质：深橙色粉状。难溶于乙醇，不溶于水。
制备方法：由2-甲基-3-羟基喹啉-4-羟酸与苯酐缩合，制得C.I.分散黄54，而后进行溴化而制得。
用途：主要用于涤纶纤维织物的印染，也可用于乙纤、锦纶、三乙酸纤维的染色。可用高温高压法、常温载体法和轧染/热固色（190℃）等方法进行印染。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条