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1)  Si-based Ge Quantum-dots
Si基Ge量子点
2)  Ge/Si quantum dots
Ge/Si量子点
3)  SiGe quantum dots
Si Ge量子点
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
4)  Ge-dots/Si multilayered structure
Ge/Si量子点多层结构
5)  Ge/Si self-organized quantum dot
Ge/Si自组织量子点
6)  Ge/Si quantum-well
Ge/Si量子阱
补充资料:SI
    有机硅树脂简称SI,是由三乙氧基硅烷等缩合而成。溶于乙醇、丁醇、醋酸乙酯、丙酮、苯、甲苯、环己酮等。预聚体在低温下能快速固化,固化后的树脂硬度高、耐热、耐磨、耐辐射、耐水、防潮、耐大气老化,低温(-50℃)不脆化。透明度高,可见光透光率90%以上。无毒。
    用作酚醛树脂和环氧树脂剂的改性剂,可提高耐热性和耐水性贮存于阴凉、通风、干燥的库房内。
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参考词条