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1)  ionization by sputtering
溅射电离
2)  ion sputtering
离子溅射
1.
Application of ion sputtering in plasma nitriding of austenitic stainless steel
离子溅射在奥氏体不锈钢离子渗氮中的应用
2.
Effect of ion sputtering platinum on photocatalytic degradation of ethylene in the environment of cold storage
离子溅射Pt对光催化降解冷藏环境中乙烯的影响
3.
Silicate substrates were coated by ion sputtering with nickel,and then used to catalyze the decomposition of low hydrocarbons to prepare the relatively well distributed carbon nanotubes films(CNFs).
1 实验部份1 1 镀膜与后处理采用离子溅射法在硅酸盐基板上镀镍,镀镍电流7 5mA,镀镍时间分别为2min、15min、30min、45min或60min;对镀镍基板再进行蚀刻(蚀刻电流7 5mA,蚀刻时间2min)或用氨水浸泡处理(含NH325%,超声振荡30min),然后烘干备用。
3)  off-axis sputtering
离轴溅射
1.
Prediction on the optimal geometry for off-axis sputtering process;
离轴溅射法中最佳几何参量的预测
4)  sputtering distance
溅射距离
1.
The relationship between the uniformity of the deposited film thickness, the magnetic field distribution on planar target and sputtering distance was discussed, then the basic construction of a magnetron sputtering source suitable for making micro-electronic devices was designed conceptually and developed, ie.
本文根据对国内外现有适用微电子器件生产的圆形平面溅射源的基本特性的分析比较,通过对平面磁控溅射靶的磁场分布和溅射距离同沉积薄膜厚度均匀性关系的讨论,得出适应于微电子器件生产的磁控溅射源的基本结构,最终确定了能保证良好的沉积特性、膜厚均匀性及靶材利用率高的圆形平面旋转溅射源。
5)  diode sputter
两电极离子溅射装置
6)  sputtered electrode
溅射电极
补充资料:溅射离子泵(scatteringionpump)
溅射离子泵(scatteringionpump)

溅射离子泵的结构如图。阳极为一薄壁不锈钢筒,阴极为两块薄钛板,分置阳极两方。阳极、阴极一同装于不锈钢外壳中,整个壳体装于一磁场中,磁力线方向平行于阳极筒轴向,磁通密度约1000~2000Gs,工作时极间电压为3~7kV产生潘宁放电,这是一种在很低压强下仍能自持的放电,所以能运用于高真空和超高真空。放电产生的离子轰击阴极时引起金属钛的溅射,溅射的钛沉积于阳极筒内壁及阴极上离子轰击较少的部位。不断地形成新鲜的活性钛膜,吸附气体分子。同时又连续地掩埋吸附于阳极筒内壁及阴极边角部位的气体分子(对惰性气体也有效),形成泵的抽气作用。真空度可达10-11Torr量级。

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