1) LOCMOS (locally-oxidized CMOS)
定位氧化的互补金属氧半导体晶体管
2) locally-oxidized CMOS
定位氧化的互补金属氧化半导体晶体管;局部氧化互补型金属氧化物半导体
3) heterojunction CMOS FET
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
4) CMOS
互补金属氧化物半导体
1.
25 μm 1P3M CMOS process is applied in the design.
25μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。
2.
A development of infrared focal plane array (IRFPA) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) readout integrated circuit (ROIC) is introduced.
介绍了一种红外焦平面阵列( IRFPA)互补金属氧化物半导体 ( CMOS)读出集成电路 ( ROIC)的研制方案 ,叙述了读出电路的电路原理及工作时序、电路参数设计、版图设计及工艺分析。
3.
The radio frequency integrated circuits based on CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process have more and more markets and prosperous future.
而基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的射频集成电路具有着广泛的市场和发展前景,无线接收机中的关键模块低噪声放大器(Low Noise Amplifier)则成为热点中的热点。
5) semiconductor,complementary metal oxide (CMOS)
互补金属氧化半导体
6) complementary metal-oxide semiconductor(CMOS)
互补金属-氧化物半导体
1.
Aiming at designing ceramic substrate\'s visual detection system,the ceramic substrate\'s image was gathered by complementary metal-oxide semiconductor(CMOS).
为了设计陶瓷基板视觉检测系统,首先采用互补金属-氧化物半导体(CMOS)图像传感器采集陶瓷基板的图像信号,通过光学成像和照明系统优化设计来提高像质,然后运用图像预处理和亚像素算法来提高边缘的检测精度,最后建立并分析了机器视觉检测系统尺寸及形位误差数学模型,实现了对陶瓷基板长度、宽度参数的测量。
补充资料：结型场效应晶体管（junctionfieldeffecttransistor(JFET)）
结型场效应晶体管（junctionfieldeffecttransistor(JFET)）
结型场效应晶体管（JFET）是通过外加栅极电压来改变栅极空间电荷区的宽度，从而控制沟道导电能力的一种场效应器件。源极和漏极之间的导电沟道是导电率相当低的半导体材料。栅极与下面的导电半导体之间存在整流结。JFET的栅极一般都加反向偏压，且栅结的耗尽层主要向沟道区扩展。改变栅结电压可以控制栅结耗尽区宽度，以改变导电沟道宽度，从而控制输出漏电流，在某一高反偏压下，沟道最终可被夹断。这类晶体管平常处于导通状态，在高反偏压下又可夹断。JFET已广泛使用于小信号放大器、电流限制器、电压控制电阻器、开关电路和集成电路中。如果栅结为肖特基势垒结，这就制成肖特基势垒场效应管（MESFET）。这种场效应管的跨导高、工作频率高，是微波领域里的热门器件。由于GaAs中电子迁移率比硅中大5倍，峰值漂移速度大1倍，所以GaAsMESFET发展迅速。
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参考词条