1) cadmium sulfide thin film solar cell
硫化镉薄膜太阳能电池
2) cadmium sulfide solar cell
[能]硫化镉太阳电池
3) cadmium sulfide solar cell
硫化镉太阳电池
4) thin film solar cells
薄膜太阳能电池
1.
Production process and application of in-line sputter for CIGS thin film solar cells
CIGS薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用
2.
With the appearance of amorphous silicon ( abbreviated from "a-Si") thin film solar cells,amorphous technology has changed into a large-scale industry.
随着无定形硅(简称a-Si)薄膜太阳能电池的诞生,非晶硅科技已转化为一支大规模的产业。
3.
This article firstly gives a brief overview to the development history,basic structures and critical issues of compound semiconductor CdTe-based solar cells,then sheds light on the advatages and disadvantages,current status,and trend of development of the sputtered polycrystalline CdTe thin film solar cells.
简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太阳能电池以提高转化效率的可能性。
5) Thin film solar cell
薄膜太阳能电池
1.
Preparation and performance of SnS_2/SnS thin film solar cells
SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究
2.
A Glass/ITO/CdS/CdTe/Cu thin film solar cell is also prepared in the thesis.
此外，实验上制备出玻璃/ITO/CdS/CdTe/Cu金属背电极薄膜太阳能电池，并得到了一些有益的结果。
3.
The enhancement rate is about 110% at the wavelength of about 610 nm and about 180% at λ=700 nm and 740 nm where most kinds of thin film solar cells have a high spectral response.
而这个波长范围与薄膜太阳能电池的吸收谱很相近,因此这种结构有望大幅度提高薄膜太阳能电池及不同波长光探测器等光电转换器件的光耦合效率。
6) i polycrystalline thin film cadmium telluride solar cell
多晶薄膜碲化镉太阳电池
补充资料：硫化镉
一种N型光电导半导体材料。属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。化学式CdS,分子量144.476,属六方晶格结构，晶格常数5.86×10-10m,熔点1750℃，禁带宽度2.41电子伏,电子和空穴的迁移率分别为2×10-2和2×10-3米2/伏·秒，相对介电常数11.6。硫化镉由于不易制成单晶，因而虽然它比锗、硅和砷化镓还早进入实用阶段，但对它的研究还很不深入,使用时也大多用其多晶烧结体和薄膜。硫化镉是灵敏度较高的N型光电导器件材料,也是压电器件材料。它与硫化锌的固溶体可制成激光波长为（3300～4900）×10-10米的激光器；与硒化镉的固溶体可制成激光波长为(4900～6750)×10-10米的激光器;与碲化镉制成的薄膜异质结太阳能电池虽然效率低于10％，但价格便宜，并且可制成大面积器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条