1) thin film solar cell
薄膜太阳电池
1.
In the case of thin film solar cell, as only an extremely thin layer of photovoltaic material is needed, the amount of material consumed is very small.
薄膜太阳电池由于只需使用一层极薄的光电材料,材料使用非常少,并可使用软性衬底,应用弹性大,如果技术发展成熟,其市场面将相当宽阔。
2.
We review the importance of thin film solar cells in photovoltaic technology, and describe the general structure, manufacture, progress and status of major thin film solar cells such as a-Si, CuInSe 2, CdTe and so on.
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的位置，详细叙述了非晶硅、铜铟锡、碲化镉等主要薄膜太阳电池的基本结构、制造方法、研究进展和现状，指出了存在的关键问题和解决的途径，并介绍了薄膜太阳电池的发展趋势和应用前景。
3.
new method and a related equipment for curing structural defects of thin film solar cell is reported.
薄膜太阳电池性能与结构缺陷有关。
2) thin film solar cells
薄膜太阳电池
1.
Synthesis and properties of nanocrystal up-converting materials for thin film solar cells;
薄膜太阳电池用纳米上转换材料制备及其特性研究
2.
Reviewed is the recent progress in thin film solar cells including polycrystalline Si(poly-Si),amorphous Si(a-Si),CdTe and CuIn1-xGaxSe2(CIGS).
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。
3.
After growing SiO 2 layer with a certain thickness on heavy diffusion inactive C Si wafer, opening windows, then fabricating polycrystalline silicon thin film solar cells on it with Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition(RTCVD) and Zone Melt Recrystallization(ZMR) method.
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2 ,开窗口后作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶 (ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池。
3) thin film solar cells
薄膜太阳能电池
1.
Production process and application of in-line sputter for CIGS thin film solar cells
CIGS薄膜太阳能电池之单靶溅镀制程及应用
2.
With the appearance of amorphous silicon ( abbreviated from "a-Si") thin film solar cells,amorphous technology has changed into a large-scale industry.
随着无定形硅(简称a-Si)薄膜太阳能电池的诞生,非晶硅科技已转化为一支大规模的产业。
3.
This article firstly gives a brief overview to the development history,basic structures and critical issues of compound semiconductor CdTe-based solar cells,then sheds light on the advatages and disadvantages,current status,and trend of development of the sputtered polycrystalline CdTe thin film solar cells.
简单综述了化合物半导体碲化镉太阳能电池的发展历史、基本结构和核心问题,在此基础上重点总结了用溅射法制备的多晶碲化镉薄膜太阳能电池的优缺点、面临问题、发展现状,展望了它的发展趋势,并讨论了用溅射法制备渐变带隙碲化镉薄膜太阳能电池以提高转化效率的可能性。
4) Thin film solar cell
薄膜太阳能电池
1.
Preparation and performance of SnS_2/SnS thin film solar cells
SnS_2/SnS薄膜太阳能电池的制备与性能研究
2.
A Glass/ITO/CdS/CdTe/Cu thin film solar cell is also prepared in the thesis.
此外，实验上制备出玻璃/ITO/CdS/CdTe/Cu金属背电极薄膜太阳能电池，并得到了一些有益的结果。
3.
The enhancement rate is about 110% at the wavelength of about 610 nm and about 180% at λ=700 nm and 740 nm where most kinds of thin film solar cells have a high spectral response.
而这个波长范围与薄膜太阳能电池的吸收谱很相近,因此这种结构有望大幅度提高薄膜太阳能电池及不同波长光探测器等光电转换器件的光耦合效率。
5) pin thin film solar cells
pin薄膜太阳电池
补充资料：化合物半导体薄膜太阳电池材料
化合物半导体薄膜太阳电池材料
thin film materials of compound semiconductor for solar cells
化合物半导体薄膜太阳电池材料thin filmmaterials of eomPound semieonduetor for solarcens在阳光照射下，化合物半导体吸收了大于其能隙的光子，通过光生伏打效应将光能变为电能。用于制作太阳电池的m一V族和n一VI族直接带隙化合物半导体薄膜材料，具有与太阳光谱能量相匹配的能隙，光电转换效率高，抗辐照性能好，是继空间能源用的硅太阳电池材料之后的重要空间用太阳电池材料。 发展简况20世纪50年代，硅太阳电池研制成功并用于第一颗人造卫星后，又研制出Cdsn一VI族太阳电池材料。此后，又研究了CdTe、Cdse及Cu:Se、CuZS，CulnseZ等11一VI族和Cu基太阳电池材料。其中CdS/CulnseZ太阳电池转换效率在1992年达14，8%。在n一VI族化合物太阳电池研制出不久，又发现m一V族化合物半导体具有合适的禁带宽度、直接跃迁和优良的抗辐照特性，可用作太阳电池材料。1962年，用扩散法研制成第一个GaAsm一V族化合物太阳电池。由于GaAs具较高的表面复合速度，转换效率仅9一10%，故利用异质结构材料中宽禁带材料的窗口效应，用液相处延技术，于1972年做成AIGaAs/GaAs异质结构太阳电池，转换效率提高到16%。以后在AMI光照条件下又达21%。1988年初，日本发射了全GaAs太阳电池方阵的CS一3通信卫星。该方阵由8万片Zx4cmZ、平均效率在AMO光照条件下达18.9%的GaAs电池组成。90年代以来，美国发展的GaAs/Gasb级联双结电池，在AMO、100个太阳常数光强下，转换效率达30%。利用多种具有不同禁带宽度的半导体材料组成级联多结太阳电池，是高转换效率化合物半导体太阳电池的发展方向。 种类化合物半导体薄膜太阳电池材料分为m一V族和n一VI族两大类。常用的有以下4种。 ①GaAs太阳电池材料:由GaAsP一N电池结构材料和宽禁带AIGaAs窗口材料组成。GaAs属直接跃迁m一V族化合物半导体材料，迁移率高，室温禁带宽度1.42eV，抗辐照性能好。AIAs的禁带宽度为2.1已V。GaAs太阳电池在AM 1 .5光照条件下，理论光电转换效率可达30.8%，研制中的实际效率在AMO下已大于21%(2 cm X 2 cm)，生产规模的实际平均效率在AMO下已达18 .9%(2 em X 4 em)，明显优于硅太阳电池效率。高效率、抗辐照是GaAs太阳电池主要优点，但其成本高。主要用作空间能源。 ②InP太阳电池材料:InP是直接跃迁m一V族化合物半导体材料，室温禁带宽度1.35eV。抗辐照性能优于GaAs，已研制出转换效率18 .8%的InP太阳电池。其价格较GaAs昂贵，是空间能源的候选材料。 ③GaAs/Gasb级联多结电池材料:GaAs和Gasb均属直接跃迁nl一V族化合物半导体材料。
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参考词条