2) microcrystalline silicon thin film solar cells
微晶硅薄膜太阳电池
1.
Investigation of improved conversion efficiency of microcrystalline silicon thin film solar cells;
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究
2.
The structure of microcrystalline silicon thin film solar cells prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition,is studied.
对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究。
3) microcrystalline silicon solar cells
微晶硅薄膜太阳电池
1.
Series of microcrystalline silicon solar cells were fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition at different silane concentrations,discharge powers and total flow rate.
本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。
2.
N-type phosphors doping layer as the window layer of microcrystalline silicon solar cells has been fabricated using conversional radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition.
采用常规的射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了可以用于微晶硅薄膜太阳电池的n型的掺杂窗口层材料。
4) silicon thin film solar cells
薄膜硅太阳能电池
6) amorphous silicon thin-film solar cell
非晶硅薄膜太阳能电池
1.
This paper introduces technical development status and market conditions of amorphous silicon thin-film solar cell and supporting equipment,and in the light of the conditions of demand on our country\'s thin-film solar cell industry,probes into the paths for developing thin-film solar cell industry.
介绍了非晶硅薄膜太阳能电池和支撑设备的技术发展现状和市场情况,针对我国薄膜太阳能电池产业的需求情况,探讨了发展薄膜太阳能电池产业的途径。
补充资料：化合物半导体薄膜太阳电池材料
化合物半导体薄膜太阳电池材料
thin film materials of compound semiconductor for solar cells
化合物半导体薄膜太阳电池材料thin filmmaterials of eomPound semieonduetor for solarcens在阳光照射下，化合物半导体吸收了大于其能隙的光子，通过光生伏打效应将光能变为电能。用于制作太阳电池的m一V族和n一VI族直接带隙化合物半导体薄膜材料，具有与太阳光谱能量相匹配的能隙，光电转换效率高，抗辐照性能好，是继空间能源用的硅太阳电池材料之后的重要空间用太阳电池材料。 发展简况20世纪50年代，硅太阳电池研制成功并用于第一颗人造卫星后，又研制出Cdsn一VI族太阳电池材料。此后，又研究了CdTe、Cdse及Cu:Se、CuZS，CulnseZ等11一VI族和Cu基太阳电池材料。其中CdS/CulnseZ太阳电池转换效率在1992年达14，8%。在n一VI族化合物太阳电池研制出不久，又发现m一V族化合物半导体具有合适的禁带宽度、直接跃迁和优良的抗辐照特性，可用作太阳电池材料。1962年，用扩散法研制成第一个GaAsm一V族化合物太阳电池。由于GaAs具较高的表面复合速度，转换效率仅9一10%，故利用异质结构材料中宽禁带材料的窗口效应，用液相处延技术，于1972年做成AIGaAs/GaAs异质结构太阳电池，转换效率提高到16%。以后在AMI光照条件下又达21%。1988年初，日本发射了全GaAs太阳电池方阵的CS一3通信卫星。该方阵由8万片Zx4cmZ、平均效率在AMO光照条件下达18.9%的GaAs电池组成。90年代以来，美国发展的GaAs/Gasb级联双结电池，在AMO、100个太阳常数光强下，转换效率达30%。利用多种具有不同禁带宽度的半导体材料组成级联多结太阳电池，是高转换效率化合物半导体太阳电池的发展方向。 种类化合物半导体薄膜太阳电池材料分为m一V族和n一VI族两大类。常用的有以下4种。 ①GaAs太阳电池材料:由GaAsP一N电池结构材料和宽禁带AIGaAs窗口材料组成。GaAs属直接跃迁m一V族化合物半导体材料，迁移率高，室温禁带宽度1.42eV，抗辐照性能好。AIAs的禁带宽度为2.1已V。GaAs太阳电池在AM 1 .5光照条件下，理论光电转换效率可达30.8%，研制中的实际效率在AMO下已大于21%(2 cm X 2 cm)，生产规模的实际平均效率在AMO下已达18 .9%(2 em X 4 em)，明显优于硅太阳电池效率。高效率、抗辐照是GaAs太阳电池主要优点，但其成本高。主要用作空间能源。 ②InP太阳电池材料:InP是直接跃迁m一V族化合物半导体材料，室温禁带宽度1.35eV。抗辐照性能优于GaAs，已研制出转换效率18 .8%的InP太阳电池。其价格较GaAs昂贵，是空间能源的候选材料。 ③GaAs/Gasb级联多结电池材料:GaAs和Gasb均属直接跃迁nl一V族化合物半导体材料。
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参考词条