2) polycrystalline CdTe solar cells
多晶薄膜CdTe太阳电池
3) CdTe solar cells
CdTe太阳电池
1.
Forming a low resistance contact to CdTe thin films is a key issue for successful improvement of the performance of CdTe solar cells.
在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。
2.
Furthermore,two CdTe solar cells with high performance back contacts were measured from C-V me.
随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层,提出了适宜于工业化生产的背接触技术,并从实验和理论上对两种背接触结构的CdTe太阳电池进行了分析。
3.
The device physics study is an effective method to develop high efficiency CdTe solar cells.
对太阳电池进行器件物理研究,是发展高效率CdTe太阳电池的一个重要方面。
4) CdTe solar cell
CdTe太阳电池
1.
Performance of CdTe solar cells with different back electrodes and back contact layers;
CdTe太阳电池的不同背电极和背接触层的特性研究
2.
But the key problem to fabricate CdTe solar cells is to form a stable ohm contact to p-CdTe with back electrode.
本论文目的在于研究ZnTe(ZnTe：Cu)多晶薄膜的制备和性质，并把ZnTe／ZnTe：Cu多晶薄膜作为复合背接触层应用于CdTe和背金属电极之间以获得欧姆接触和高效CdTe太阳电池。
3.
Characteristics of CdTe solar cell device;
测量了CdTe太阳电池器件从50kHz至1MHz频率范围的电容-电压特性,计算了吸收层的载流子浓度和空间电荷区的位置,电容-电压特性测试结果出现两个峰,峰特征与测试频率有关,用多结模型进行模拟分析,解释了实验结果。
5) CdS/CdTe solar cell
CdS/CdTe太阳电池
1.
The performance of CdS/CdTe solar cells was studied in the temperature cycles, I-V curves of the cells were measured.
在温度循环下对CdS/CdTe太阳电池的性能作了研究,测定了其I V特性曲线,计算了串联电阻和并联电阻。
补充资料：化合物半导体薄膜太阳电池材料
化合物半导体薄膜太阳电池材料
thin film materials of compound semiconductor for solar cells
化合物半导体薄膜太阳电池材料thin filmmaterials of eomPound semieonduetor for solarcens在阳光照射下，化合物半导体吸收了大于其能隙的光子，通过光生伏打效应将光能变为电能。用于制作太阳电池的m一V族和n一VI族直接带隙化合物半导体薄膜材料，具有与太阳光谱能量相匹配的能隙，光电转换效率高，抗辐照性能好，是继空间能源用的硅太阳电池材料之后的重要空间用太阳电池材料。 发展简况20世纪50年代，硅太阳电池研制成功并用于第一颗人造卫星后，又研制出Cdsn一VI族太阳电池材料。此后，又研究了CdTe、Cdse及Cu:Se、CuZS，CulnseZ等11一VI族和Cu基太阳电池材料。其中CdS/CulnseZ太阳电池转换效率在1992年达14，8%。在n一VI族化合物太阳电池研制出不久，又发现m一V族化合物半导体具有合适的禁带宽度、直接跃迁和优良的抗辐照特性，可用作太阳电池材料。1962年，用扩散法研制成第一个GaAsm一V族化合物太阳电池。由于GaAs具较高的表面复合速度，转换效率仅9一10%，故利用异质结构材料中宽禁带材料的窗口效应，用液相处延技术，于1972年做成AIGaAs/GaAs异质结构太阳电池，转换效率提高到16%。以后在AMI光照条件下又达21%。1988年初，日本发射了全GaAs太阳电池方阵的CS一3通信卫星。该方阵由8万片Zx4cmZ、平均效率在AMO光照条件下达18.9%的GaAs电池组成。90年代以来，美国发展的GaAs/Gasb级联双结电池，在AMO、100个太阳常数光强下，转换效率达30%。利用多种具有不同禁带宽度的半导体材料组成级联多结太阳电池，是高转换效率化合物半导体太阳电池的发展方向。 种类化合物半导体薄膜太阳电池材料分为m一V族和n一VI族两大类。常用的有以下4种。 ①GaAs太阳电池材料:由GaAsP一N电池结构材料和宽禁带AIGaAs窗口材料组成。GaAs属直接跃迁m一V族化合物半导体材料，迁移率高，室温禁带宽度1.42eV，抗辐照性能好。AIAs的禁带宽度为2.1已V。GaAs太阳电池在AM 1 .5光照条件下，理论光电转换效率可达30.8%，研制中的实际效率在AMO下已大于21%(2 cm X 2 cm)，生产规模的实际平均效率在AMO下已达18 .9%(2 em X 4 em)，明显优于硅太阳电池效率。高效率、抗辐照是GaAs太阳电池主要优点，但其成本高。主要用作空间能源。 ②InP太阳电池材料:InP是直接跃迁m一V族化合物半导体材料，室温禁带宽度1.35eV。抗辐照性能优于GaAs，已研制出转换效率18 .8%的InP太阳电池。其价格较GaAs昂贵，是空间能源的候选材料。 ③GaAs/Gasb级联多结电池材料:GaAs和Gasb均属直接跃迁nl一V族化合物半导体材料。
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参考词条