1) separate confinement laser diode
分别限制激光管
2) SCH QW Lasers
分别限制量子阶激光器
3) MQW laser
分别限制量子阱激光器
4) InGaAs/AlGaAs SCH DQW lasers
InGaAs/AlGaAs分别限制双量子阱激光器
5) SCH
分别限制
1.
Characteristics of waveguides of GRINSCH-SQW LDs is calculated numerically.
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。
2.
The experimental results show that wafer sample s quality has met the design requirement of GRIN SCH SQW array laser.
分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。
6) SCH
分别限制结构
1.
High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers;
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
补充资料：量子限制效应（quantumconfinementeffect）
量子限制效应（quantumconfinementeffect）
微结构材料三维尺度中至少有一个维度与电子德布罗意（deBroglie）波长相当，因此电子在此维度中的运动受到限制，电子态呈量子化分布，连续的能带将分解为离散的能级，当能级间距大于某些特征能量（如热运动量KB；塞曼能hω，超导能隙Δ等）时，系统将表现出和大块样品不同的甚至是特有的性质，例如超晶格中由于能级离散引起的带隙展宽及吸收边的蓝移。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条