1) separate confinement heterostructure
分别限制单量子阱
1.
nm InGaAsP/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) single quantum well (SQW) lasers are grown by enhanced liquid phase epitaxy (LPE).
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
2) SQW-SCH
单量子阱分别限制
3) MQW laser
分别限制量子阱激光器
4) InGaAs/AlGaAs SCH DQW lasers
InGaAs/AlGaAs分别限制双量子阱激光器
5) Single Quantum Well
单量子阱
1.
Research of InGaAs/AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Lasers;
InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究
2.
Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al_(0.29)Ga_(0.71)As single quantum well;
压电调制反射光谱研究GaAs/Al_(0.29)Ga_(0.71)As单量子阱
3.
This paper presents some new results obtained recently in the study of single quantum well( SQW), seperate confinement structure (SCH) InGaAsP/GaAs lasers.
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。
6) SQW
单量子阱
1.
High Power Linear GRIN-SCH-SQW GaAs/AlGaAs Lasers;
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
2.
Al-free SQW High-power Semiconductor Lasers;
基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器
3.
Bistability of a SQW Semiconductor Laser with an Output-feedback Loss-modulation Scheme;
单量子阱半导体激光器在输出反馈损耗调制方式下的双稳特性
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条