1) SCH
分别限制异质结构
1.
This paper presents some new results obtained recently in the study of single quantum well( SQW), seperate confinement structure (SCH) InGaAsP/GaAs lasers.
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。
2.
InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOVPE.
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。
2) ultra-thin layer
分别限制双异质结构LDs
3) separate confinem ent heterostructure ('s C H)
分别限制异质结
4) SCH
分别限制结构
1.
High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers;
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
5) hierachical nanostructures
异质分级结构
6) SCH
分别限制
1.
Characteristics of waveguides of GRINSCH-SQW LDs is calculated numerically.
分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。
2.
The experimental results show that wafer sample s quality has met the design requirement of GRIN SCH SQW array laser.
分析了梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN-SCH-SQW)结构的特点以及对大功率半导体激光器特性的影响。
补充资料：结构镜质体(镜质组)
结构镜质体(镜质组)
14．结构镜质体(镜质组，
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条