1) ultra-thin layer
分别限制双异质结构LDs
2) SCH
分别限制异质结构
1.
This paper presents some new results obtained recently in the study of single quantum well( SQW), seperate confinement structure (SCH) InGaAsP/GaAs lasers.
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。
2.
InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers have been prepared by LP-MOVPE.
介绍了无铝激光器的优点 ;利用 LP-MOVPE生长了 In Ga As P/In Ga P/Ga As分别限制异质结构单量子阱 (SCH-SQW)结构 ,讨论了激光器的腔长对特征温度的影响。
3) separate confinem ent heterostructure ('s C H)
分别限制异质结
4) SCH
分别限制结构
1.
High Power 808 nm InGaAsP/GaAs SCH Lasers;
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
5) Lightly Doped Source Structure
LDS结构
6) double heterostructure
双异质结构
1.
So a compromise has to be made between the improvement of the two-dimensional electron Gas confinement and the restraint of the carrier density in parasitic channel in designing the double heterostructure.
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响。
补充资料：结构镜质体(镜质组)
结构镜质体(镜质组)
14．结构镜质体(镜质组，
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条