1) forward second breakdown
正向二次击穿
2) second breakdown
二次击穿
1.
In this paper, the mechanism of the thermal and the electrical second breakdown of voltage regulator D574 were disscused.
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
2.
A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented.
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。
3.
A criterion for second breakdown is obtained,i.
得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
3) forward breakdown
正向击穿
4) the secondary breakdown region
二次击穿区
5) twice broken boundary characteristic
二次击穿临界线
6) secondary breakdown current
二次击穿电流
1.
The NMOS transistor ESD characteristics would be affected by such parameters as the hold voltage VH, hold current IH, trigger voltage VB, trigger current IB and secondary breakdown current.
NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。
补充资料：输出反馈(见线性二次型次优控制)
输出反馈(见线性二次型次优控制)
output feedback
3h日c卜口fon以以{输出反馈型次优控制。(output王eedbaek)见线性二次
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条