1) x ray resist
x 射线光刻胶
2) X-ray lithography
X射线光刻
1.
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below;
50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
2.
Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography;
50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
3.
Deep-submicron T-shaped gate fabrication technology using syn chrotron radiation x-ray lithography;
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
3) XRL
X射线光刻
1.
In order to get the dark field high aspect ratio and the batch product of the MZP,we replicate the MZP mask by using synchrotron radiation X-ray lithography(XRL).
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片。
2.
As semiconductor device geometry shrinks down to the 100nm order for the most critical layers through Synchrotron X-ray Lithography (XRL), requirements for overlay accuracy alignment increasingly strict in the X-ray Lithography process.
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。
4) X ray lithography
X射线光刻
5) X-ray lithography .mask
X射线光刻掩模
6) X-ray photolithographic mask
X-射线光刻掩模
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条