1) X-ray mask matetrial
X射线光刻掩膜材料
2) X-ray lithography .mask
X射线光刻掩模
3) X-ray photolithographic mask
X-射线光刻掩模
4) X-ray mask
X射线掩膜
5) X-ray phosphors
X射线发光材料
1.
Gd_2O_2S∶Tb X-ray phosphors was synthesized by ceramics technology with high pressure pretreatment on the thoroughly mixed raw materials.
采用陶瓷工艺学原理,对混合好的配合料进行高压预处理,合成了Gd2 O2 S∶TbX射线荧光粉,并研究高压预处理对合成硫氧化物X射线发光材料Gd2 O2 S∶Tb发光性能和物理特性的影响。
6) X-Ray luminescence materials
X-射线发光材料
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条