1) soft X-ray lithography
软X射线光刻
1.
According to theoretical analysis,the PMMA compound X-ray lenses are designed and fabricated by soft X-ray lithography.
用LIGA技术中的软X射线光刻方法制作了PMMA材料X射线组合透镜。
2) Soft X-ray interference lithography
软X射线干涉光刻
1.
4nm soft X-ray interference lithography has been accomplished.
4 nm软X射线干涉光刻的透射型双光栅掩模版。
3) soft X ray projection lithography
软X射线投影光刻
4) Soft X-ray projection lithography
软X-射线投影光刻
5) X-ray lithography
X射线光刻
1.
Synchrotron radiation X-ray lithography beamline design for 50nm resolution and below;
50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计
2.
Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography;
50 nm X射线光刻掩模制备关键技术
3.
Deep-submicron T-shaped gate fabrication technology using syn chrotron radiation x-ray lithography;
同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅
6) XRL
X射线光刻
1.
In order to get the dark field high aspect ratio and the batch product of the MZP,we replicate the MZP mask by using synchrotron radiation X-ray lithography(XRL).
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片。
2.
As semiconductor device geometry shrinks down to the 100nm order for the most critical layers through Synchrotron X-ray Lithography (XRL), requirements for overlay accuracy alignment increasingly strict in the X-ray Lithography process.
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。
补充资料：软X射线显现电热能谱 SXAPS
分子式：
CAS号：
性质：将电子束射于固体上，当其能量超过显现能量才能激发出特定的X射线。测量和跟踪激发的X射线强度与入射电子能量的关系可了解表面组成，因为当因吸附等原因而引起表面组成变化时其相应的电势谱峰发生变化。但是，在分析表面组成上SXAPS的灵敏度远不及俄歇电子能谱（AES）。
CAS号：
性质：将电子束射于固体上，当其能量超过显现能量才能激发出特定的X射线。测量和跟踪激发的X射线强度与入射电子能量的关系可了解表面组成，因为当因吸附等原因而引起表面组成变化时其相应的电势谱峰发生变化。但是，在分析表面组成上SXAPS的灵敏度远不及俄歇电子能谱（AES）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条