1) induced channel
感应沟道
2) induced-channel type transistor
感应沟道型晶体管
3) Channeling
[英]['tʃænəliŋ] [美]['tʃænəlɪŋ]
沟道效应
1.
Channeling of energetic charged particle in the nanotubes-rope exhibits a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应显示出大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
2.
Channeling of high energy particle in the nanotubes-rope shows a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
4) channelling effect
沟道效应
1.
Motion damping in channelling effects and the chaotic behaviour of a system;
沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征
2.
The global bifurcation and chaotic behaviours are analysed using Melnikov technique,indicating that the random phenomenon of the channelling effect of the superlattice are related to chaotic behaviours of the system.
指出了超晶格沟道效应的无规现象与系统混沌的相关性 。
5) Channeling effect
沟道效应
1.
Study of channeling effect by impact of highly charged ions on crystal surface of Si(110);
高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条