1) Inverse-Narrow-Width-Effect
反向窄沟道效应
1.
8 μm gate length devices,show that the threshold voltage decreases as channel width is scaled-down which is so called Inverse-Narrow-Width-Effect.
8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应。
2) Reverse short-channel effect
反短沟道效应
3) Channeling
[英]['tʃænəliŋ] [美]['tʃænəlɪŋ]
沟道效应
1.
Channeling of energetic charged particle in the nanotubes-rope exhibits a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应显示出大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
2.
Channeling of high energy particle in the nanotubes-rope shows a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
4) channelling effect
沟道效应
1.
Motion damping in channelling effects and the chaotic behaviour of a system;
沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征
2.
The global bifurcation and chaotic behaviours are analysed using Melnikov technique,indicating that the random phenomenon of the channelling effect of the superlattice are related to chaotic behaviours of the system.
指出了超晶格沟道效应的无规现象与系统混沌的相关性 。
5) Channeling effect
沟道效应
1.
Study of channeling effect by impact of highly charged ions on crystal surface of Si(110);
高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
补充资料：窄沟道效应（narrowchanneleffect）
窄沟道效应（narrowchanneleffect）
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道宽度窄到可与源和漏的耗尽层宽度相比拟时，器件将发生偏离宽沟道的行为，这种由窄沟道宽度引起的对器件性能的影响称为窄沟道效应。沟道宽度变窄导致阈值电压增加，是窄沟道效应的重要方面，这与衬底中耗尽区沿沟道宽度的横向扩展有关。沟道变窄使阈值电压增加与沟道长度变短使阈值电压减小的特性正好相反，因此在既是短沟又是窄沟的小尺寸MOSFET中这两种相反的阈值电压特性使阈值电压趋于保持不变或仅有极小的变化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条