1) semi channeling
半沟道效应
2) Channeling
[英]['tʃænəliŋ] [美]['tʃænəlɪŋ]
沟道效应
1.
Channeling of energetic charged particle in the nanotubes-rope exhibits a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
荷能带电粒子在碳纳米管绳内的沟道效应显示出大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
2.
Channeling of high energy particle in the nanotubes-rope shows a large diameter of the channels and weak de-channeling factors.
高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应,显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
3) channelling effect
沟道效应
1.
Motion damping in channelling effects and the chaotic behaviour of a system;
沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征
2.
The global bifurcation and chaotic behaviours are analysed using Melnikov technique,indicating that the random phenomenon of the channelling effect of the superlattice are related to chaotic behaviours of the system.
指出了超晶格沟道效应的无规现象与系统混沌的相关性 。
4) Channeling effect
沟道效应
1.
Study of channeling effect by impact of highly charged ions on crystal surface of Si(110);
高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
6) short channel effect
短沟道效应
1.
The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
2.
Based on the hydrodynamic energy transport model, the short channel effect immunity in the deep sub micron grooved gate PMOSFET is studied together with the influences of substrate and channel doping density on that effect immunity.
基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 。
3.
I V characteristics and sub threshold characteristics,as well as the short channel effect(SCE) are carefully investigated.
研究了 FINFET的 I- V特性、亚阈值特性、短沟道效应等 。
补充资料：沟道效应
分子式：
CAS号：
性质：是带电粒子入射到单晶中的一种特殊现象。当带电粒子以小角度射入单晶中的一行行原子时，若粒子轨迹被限于原子的行和面之间，可使粒子射程比随机方向射入时显著增加，具有异常的穿透作用。可用于在硅和其他单晶中掺杂低能重离子，也用于分析晶体中的杂质原子。
CAS号：
性质：是带电粒子入射到单晶中的一种特殊现象。当带电粒子以小角度射入单晶中的一行行原子时，若粒子轨迹被限于原子的行和面之间，可使粒子射程比随机方向射入时显著增加，具有异常的穿透作用。可用于在硅和其他单晶中掺杂低能重离子，也用于分析晶体中的杂质原子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条