1) dopant predeposition
掺杂剂预淀积
2) implant-deposition
掺杂淀积
1.
Laser implant-deposition of stainless steel by excimer laser irradition;
准分子激光对不锈钢表面的掺杂淀积
3) dopant
[英]['dəupənt] [美]['dopənt]
掺质，掺杂剂
4) dopant
[英]['dəupənt] [美]['dopənt]
掺杂剂
1.
The Theoretical Study of the Effects of Dopants on the Properties of Polyacetylene;
掺杂剂对聚乙炔性质影响的理论研究
2.
The effect of Ruthenium dopant on photographic sensitivity by varying the dopant amount and location in model sliver bromide cubic emulsions has been studied It is concluded that doping Ruthenium, which functions as shallow electron traps inside sliver bromide crystal, is beneficial for increasing sensitivit
研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。
3.
The relation between structure,property and colour as well as the effect of dopant content were analyzed.
同时系统地研究了颜料试样的结构和光谱反射曲线，分析了颜料的颜色、性质和结构、呈色之间的关系，以及掺杂剂的掺杂量同颜料结构和性质之间的关系，讨论了ＺｎＳｅ基颜料的应用前景。
5) Dopant-free
无掺杂剂
6) fluorine dopant
氟掺杂剂
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条