1) boron pre-deposition
硼预淀积
1.
Effect of boron pre-deposition on size distribution of self-assembled Ge islands fabricated by UHV/CVD;
硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响
2) pre-deposition process
预淀积
1.
The diffusion was researched through analyzing characteristics of the pre-deposition process and the drive-in process.
结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。
3) predeposit implant
预淀积注入
4) predeposition diffusion
预淀积扩散
5) pre-deposited indium nanodots
预淀积In纳米点
6) dopant predeposition
掺杂剂预淀积
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条