1) preparatory doping time
预掺杂时间
1.
According to the growth pattern of GGD floating zone silicon, this paper calculates the axial distribution of doping concentration and the preparatory doping time for uniform distribution in the silicon, and the calculation approaches experimental result extremely.
根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近。
2) Real time B doped
实时B掺杂
3) dopant predeposition
掺杂剂预淀积
4) anion-cation synchronous substitution Li_xMn_2O_yF_z
同时掺杂型LixMn2OyFz
5) incorporation of foreign matter
(晶格间)杂质掺入
6) miscellaneous time
杂项时间
补充资料：预调时间
分子式：
CAS号：
性质：在比例微分作用(PD作用)的单元中，输入变量给定为斜坡状(等速)变化，输出变量变化达到斜坡施加后，立即得到的变化值的两倍时所需时间。
CAS号：
性质：在比例微分作用(PD作用)的单元中，输入变量给定为斜坡状(等速)变化，输出变量变化达到斜坡施加后，立即得到的变化值的两倍时所需时间。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条