1) secondary breakdown
次级击穿
2) electron resonance breakdown
次级电子倍增击穿
3) second breakdown
二次击穿
1.
In this paper, the mechanism of the thermal and the electrical second breakdown of voltage regulator D574 were disscused.
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
2.
A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented.
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。
3.
A criterion for second breakdown is obtained,i.
得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
4) first breakdown,primary breakdown
一次击穿
5) the secondary breakdown region
二次击穿区
6) step-break testing method
逐级击穿法
补充资料：次级电子
分子式：
CAS号：
性质：射线与物质相互作用，有可能使其原子或分子发生电离，电离过程发射出的电子称作次级电子。部分次级电子可能有足够的能量进一步引起物质原子或分子电离或激发形成自己的径迹(包括短径迹或分支径迹)。把能量在500～5000eV或更大的次级电子称为δ电子。
CAS号：
性质：射线与物质相互作用，有可能使其原子或分子发生电离，电离过程发射出的电子称作次级电子。部分次级电子可能有足够的能量进一步引起物质原子或分子电离或激发形成自己的径迹(包括短径迹或分支径迹)。把能量在500～5000eV或更大的次级电子称为δ电子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条