1) first breakdown,primary breakdown
一次击穿
2) second breakdown
二次击穿
1.
In this paper, the mechanism of the thermal and the electrical second breakdown of voltage regulator D574 were disscused.
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
2.
A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented.
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。
3.
A criterion for second breakdown is obtained,i.
得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
3) secondary breakdown
次级击穿
4) first perforation
一次穿孔
1.
The paper introduces the trial-producing process of the thick wall seamless steel tube using the technology of first perforation and secondary perforation.
文章介绍了采用了一次穿孔和两次穿孔技术生产厚壁无缝钢管的试制工艺过程,并对所生产的五个系列产品进行了检测,结果表明产品的尺寸精度、表面质量和力学性能均满足相关标准及用户的要求,具备批量生产能力。
5) the secondary breakdown region
二次击穿区
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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