1) arsenous phosphide
一磷化砷
2) gallium arsenide phosphide
磷砷化镓
3) arsenic phosphide
磷化砷
4) chromium arsenide
一砷化铬
5) americium monoarsenide
一砷化镅
6) gallium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝镓
补充资料：磷砷化镓单晶
分子式：GaAs1-xPx；0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。0≤x≤0.53时为直接带隙半导体，0.53≤x≤1时为间接带隙半导体；禁带宽度随x变化在1.43～2.26eV范围。可在砷化镓衬底上用外延法制成异质结。是制备半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条