1) RF sputtering equipment
射频溅射设备
2) high frequency sputtering equipment
高频溅射设备
4) high frequency excited plasma sputtering equipment
高频等离子溅射设备
5) RF sputtering
射频溅射
1.
Influence of target self-bias in inverted cylindrical RF sputtering on the microstructure and electrical properties of Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3 thin films;
倒筒式射频溅射自偏压对Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3热释电薄膜结构及性能的影响
2.
Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method;
射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜
3.
Nanocrystalline TiO_2 thin films were prepared by reactive RF sputtering, then the samples were treated by Ar radio frequency plasma.
用反应射频溅射法在导电玻璃上制备TiO2薄膜,并用Ar射频等离子体对TiO2薄膜进行处理。
6) radio frequency sputtering
射频溅射
1.
Preparation of cubic boron nitride films by radio frequency sputtering;
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
补充资料：射频溅射
分子式：
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
CAS号：
性质：利用射频放电产生的离子轰击靶材进行溅射的镀膜技术。射频溅射装置主要由真空室、真空系统和射频溅射电源构成。溅射出来的靶材原子沉积在工件上形成镀层，射频溅射电源的频率规定为13.56MHz。在相同靶功率密度和工作气体压强的条件下，射频溅射的镀膜速率与直流溅射相近。其特点是可采用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子膜。由于射频溅射的镀膜速度低，并且射频辐射对人体有害，因而限制了它的广泛应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条