1) ion implantation technology
离子主入工艺
3) double ion implanted process
双重离子注入工艺
4) FLATCELL
平坦式离子植入绝缘工艺
1.
This paper introduces a high-density MASKROM chip design, whose memory cell adopts FLATCELL layout structure, thus the chip could gain high integrated density in certain layout area.
文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度。
5) ionic membrane process
离子膜工艺流程
1.
Comparison between different ionic membrane processes;
不同离子膜工艺流程的比较
补充资料：离子掺杂工艺
分子式：
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
CAS号：
性质：又称离子掺杂工艺，离子注入工艺。指在加速电场作用下，将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个，其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化，制备高分子驻极体；其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用，改变其荷电状态，从而增加载流子密度，提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低；掺杂浓度可控；掺杂区清晰；能实现大面积均匀掺杂；可在半导体内形成各种复杂的结构；适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多，通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条