1) compensated semiconductor
互补半导体
2) complementary metal oxide semiconductor (CMOS)
互补金氧半导体
3) CMOS
互补金属氧化物半导体
1.
25 μm 1P3M CMOS process is applied in the design.
25μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺。
2.
A development of infrared focal plane array (IRFPA) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) readout integrated circuit (ROIC) is introduced.
介绍了一种红外焦平面阵列( IRFPA)互补金属氧化物半导体 ( CMOS)读出集成电路 ( ROIC)的研制方案 ,叙述了读出电路的电路原理及工作时序、电路参数设计、版图设计及工艺分析。
3.
The radio frequency integrated circuits based on CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process have more and more markets and prosperous future.
而基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的射频集成电路具有着广泛的市场和发展前景,无线接收机中的关键模块低噪声放大器(Low Noise Amplifier)则成为热点中的热点。
4) cmos structure
互补金氧半导体结构
5) semiconductor,complementary metal oxide (CMOS)
互补金属氧化半导体
6) complementary metal-oxide semiconductors
互补式金氧半导体
补充资料：半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条