1) bismuth silicate-germanate crystal
硅锗酸铋晶体
2) bismuth germanate crystal
锗酸铋晶体
1.
The etching morphology of bismuth germanate crystals grown by Bridgmanmethod were inverstigated.
研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。
3) BSO crystal
硅酸铋晶体
4) Bi 12 GeO 20 single crystal
锗酸铋单晶
5) scintillation bismuth germinate single crystal
闪烁锗酸铋单晶
6) bismuth silicate single crystal;BSO;bismuth silicon oxide
硅酸铋单晶
补充资料：锗酸铋晶体
分子式：Bil2GeO20；Bi4Oe3O12；Bil4GeO23
CAS号：
性质：等多种同素异构体。其中Bi4Ge3O12为立方晶系，点群43m。熔点1050℃。在可见光、X射线、γ和α射线的激发下可产生荧光。激发光谱305nm，荧光光谱480～510nm，光输出温度系数-1％/℃，临界能量10.5MeV。具有良好的闪烁性能，不吸潮、抗冲击，易于加工，化学性能稳定，不存在因掺杂不均引起的发光强度不均匀问题。有效原子系数高，荧光衰减时间短，有利于快速计算。用提拉法或下降法在大气气氛下生长。为高能射线的闪烁探测材料，用于正负电子对撞机。
CAS号：
性质：等多种同素异构体。其中Bi4Ge3O12为立方晶系，点群43m。熔点1050℃。在可见光、X射线、γ和α射线的激发下可产生荧光。激发光谱305nm，荧光光谱480～510nm，光输出温度系数-1％/℃，临界能量10.5MeV。具有良好的闪烁性能，不吸潮、抗冲击，易于加工，化学性能稳定，不存在因掺杂不均引起的发光强度不均匀问题。有效原子系数高，荧光衰减时间短，有利于快速计算。用提拉法或下降法在大气气氛下生长。为高能射线的闪烁探测材料，用于正负电子对撞机。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条