2) bismuth germanate crystal
锗酸铋晶体
1.
The etching morphology of bismuth germanate crystals grown by Bridgmanmethod were inverstigated.
研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。
3) Bi 12 GeO 20 single crystal
锗酸铋单晶
5) Germanium bismuthate glasses
锗铋酸盐玻璃
6) bismuth-boron-germanium glasses
铋硼锗酸盐玻璃
1.
A serial of Er2O3-doped bismuth-boron-germanium glasses with composition of Bi2O3-B2O3-GeO2-Na2O were prepared by the high-temperature melt-quenching method.
用高温熔融法制备了系列掺铒铋硼锗酸盐玻璃,测试分析了不同铒离子掺杂浓度下玻璃样品的吸收光谱和荧光光谱。
补充资料：锗酸铋
分子式：Bil2GeO2O
CAS号：
性质：一种压电晶体。立方晶系，点群23。密度7.139g/cm3。熔点935℃。自激活，在X射线激活下发出峰值波长为480nm的荧光，扩散系数(150kev)9.93cm-3。相对光输出(80keV)10％，衰减时间0.3μs。20ms的余辉强度<1％。具有波传播速度低和一次与二次电光效应以及光电导效应等特性。采用气相生长法制备多晶薄膜。用作电光或光电导材料，也用于制作延迟线、超音频声学器件。
CAS号：
性质：一种压电晶体。立方晶系，点群23。密度7.139g/cm3。熔点935℃。自激活，在X射线激活下发出峰值波长为480nm的荧光，扩散系数(150kev)9.93cm-3。相对光输出(80keV)10％，衰减时间0.3μs。20ms的余辉强度<1％。具有波传播速度低和一次与二次电光效应以及光电导效应等特性。采用气相生长法制备多晶薄膜。用作电光或光电导材料，也用于制作延迟线、超音频声学器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条