1) silicon epitaxial planar transistor
硅外延平面晶体管
2) Silicon epitaxial wafer
硅外延片
3) silicon epilayer
硅外延层
1.
Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
4) Si epitaxy
硅外延
1.
By spreading resistance profile technology,Si epitaxy thickness value was obtained through measuring the changing of depth resistivity.
实际外延片测试过程中,经常发生扩展电阻测试仪测量硅外延片厚度误差较大的问题,从三个方面分析了产生的原因,其中两方面存在于样品制备过程:样品研磨角度不等于垫块角度造成的误差;研磨斜面两条边缘不平行造成的误差。
5) silicon epitaxy
硅外研
6) Low-temperature Si epitaxy
低温硅外延
参考词条
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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