p/p~+硅外延片,p/p~+ epitaxial silicon wafer,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) p/p~+ epitaxial silicon wafer

p/p~+硅外延片

Nowadays, p/p~+ epitaxial silicon wafers are widely applied in CMOS and power devices.

p/p~+硅外延片是一类重要的硅材料,目前,p/p~+硅外延片主要在以CMOS工艺为代表的超大规模集成电路和大功率器件中应用。

2) pⅨ

pⅨ

Construction of a new phagemid for phage display using phage coat protein pⅨ and its primary evaluation;

新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价

3) P)

P）

4) PⅣ

PⅣ

In this paper, on the basis of the analysis of the characteristics of wind-blown-sand flow in view of gas-solid two-phase flow, the sand incipience process was realized and observed by using Particle Imaging Velocimeter (PⅣ) technique in a specially designed test facility and the influence factors were discussed.

本文在对风沙流进行气固两相流分析的基础上实现了低风速条件下的沙粒起动过程,借助PⅣ测量系统对其进行了观测并对影响因素进行了分析,获得了沙粒的浓度和速度分布。

5) P-IS

P-IS

6) P-Ⅲ

P-Ⅲ

Mathematical Solution of Φ-value in P-Ⅲ;

P-Ⅲ中Φ值数学解法的探讨

参考词条

（P,P+1）图性质（p_p） P-P波 P-P间期 Normal P-P Plot 弱（p,p）型强（p,p）型 P-P模型 P-P结 GMAW-P P-RCAPMP P-EPQ T-P p'-DDT P-DADMAC 拱坝设计《古文字诂林》

补充资料：硅外延片

硅外延片
silicon epitaxial wafer

gUI WOlyQnPlon硅外延片(silieon epitaxial wafer)在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料。硅外延已发展成为门类繁多的技术，从外延层在器件制造中的作用看，可分为正外延和反外延。器件直接制作在外延层上的叫正外延;器件制作在单晶衬底上，外延层作为基底，叫反外延。从化学组成看，可分为同质外延和异质外延。外延层和衬底属同一种物质，称同质外延，外延层和衬底不属同种物质，称异质外延。制备硅外延片的方法有气相外延、液相外延、分子束外延等。其中以化学气相淀积(C VD)为基础的气相外延是现在生产硅外延的主流。常用的源有SICI、、SIHC13、SIHZCI:和SIH、4种。目前以SICI‘源应用最广泛。对于亚微米级外延，从低温看，硅烷似乎比其他源好，但硅烷在极少量空气存在下会在硅外延层中产生510:微粒，SIHZCI:用于优质外延及薄层外延。工艺原理以SICI‘为源的气相外延法为例。将硅单晶衬底加热到1200℃左右，将含有SICI、蒸汽的氢气流过衬底表面。利用化学反应SIC14+2H2一Si令+4HCI个，氢和四氯化硅在衬底表面或附近发生反应，生成游离状态的硅原子和副产物HCI。后者随着主气流被排走。而游离状态的硅原子经表面和台阶扩散，坐落在晶格格点上，释放潜热，成为晶相原子，实现外延生长。实际上此过程远比上述反应复杂，还有许多其他中间产物生成。当气流与基座(包括衬底硅片)接触时，形成边界层，反应剂以及掺杂剂要扩散通过此边界层到达生长层，反应副产物也要扩散通过此边界层返回到主流区。边界层厚度对气流速度很敏感。设计反应器和制定工艺条件时，必须考虑边界层厚度对输运过程的影响。应当调整边界层厚度，以获得均匀的外延层。作为外延衬底的硅抛光片要在反应器内通入HCI气体，于外延沉积前进行气相腐蚀以消除衬底表面的损伤和污染。掺杂是使用气相掺杂法，掺杂剂为硼、磷、砷的卤化物或氢化物，现在多用氢化物如BZH6，PH3，AsH3等。设备硅外延所用设备见图，主要由反应器、加热装置、气体控制系统和氢气净化装置组成。一二几产井移熟脚早必界了班久要截质量控制硅外延片质量直接影响到器件性能。启蚀气体的排气增塑排气增压孔SICI峨硅外延是一排汗节旦一一口七一}匕翟坠二而~，(1匆lb‘/、2)，，大毫很吧辱牢的 111尸，.。

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1) p/p~+ epitaxial silicon wafer p/p~+硅外延片 1. Nowadays, p/p~+ epitaxial silicon wafers are widely applied in CMOS and power devices. p/p~+硅外延片是一类重要的硅材料,目前,p/p~+硅外延片主要在以CMOS工艺为代表的超大规模集成电路和大功率器件中应用。 2) pⅨ pⅨ 1. Construction of a new phagemid for phage display using phage coat protein pⅨ and its primary evaluation; 新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价 3) P) P） 4) PⅣ PⅣ 1. In this paper, on the basis of the analysis of the characteristics of wind-blown-sand flow in view of gas-solid two-phase flow, the sand incipience process was realized and observed by using Particle Imaging Velocimeter (PⅣ) technique in a specially designed test facility and the influence factors were discussed. 本文在对风沙流进行气固两相流分析的基础上实现了低风速条件下的沙粒起动过程,借助PⅣ测量系统对其进行了观测并对影响因素进行了分析,获得了沙粒的浓度和速度分布。 5) P-IS P-IS 6) P-Ⅲ P-Ⅲ 1. Mathematical Solution of Φ-value in P-Ⅲ; P-Ⅲ中Φ值数学解法的探讨参考词条（P,P+1）图性质（p_p） P-P波 P-P间期 Normal P-P Plot 弱（p,p）型强（p,p）型 P-P模型 P-P结 GMAW-P P-RCAPMP P-EPQ T-P p'-DDT P-DADMAC 拱坝设计《古文字诂林》补充资料：硅外延片硅外延片 silicon epitaxial wafer gUI WOlyQnPlon硅外延片(silieon epitaxial wafer)在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料。硅外延已发展成为门类繁多的技术，从外延层在器件制造中的作用看，可分为正外延和反外延。器件直接制作在外延层上的叫正外延;器件制作在单晶衬底上，外延层作为基底，叫反外延。从化学组成看，可分为同质外延和异质外延。外延层和衬底属同一种物质，称同质外延，外延层和衬底不属同种物质，称异质外延。制备硅外延片的方法有气相外延、液相外延、分子束外延等。其中以化学气相淀积(C VD)为基础的气相外延是现在生产硅外延的主流。常用的源有SICI、、SIHC13、SIHZCI:和SIH、4种。目前以SICI‘源应用最广泛。对于亚微米级外延，从低温看，硅烷似乎比其他源好，但硅烷在极少量空气存在下会在硅外延层中产生510:微粒，SIHZCI:用于优质外延及薄层外延。工艺原理以SICI‘为源的气相外延法为例。将硅单晶衬底加热到1200℃左右，将含有SICI、蒸汽的氢气流过衬底表面。利用化学反应SIC14+2H2一Si令+4HCI个，氢和四氯化硅在衬底表面或附近发生反应，生成游离状态的硅原子和副产物HCI。后者随着主气流被排走。而游离状态的硅原子经表面和台阶扩散，坐落在晶格格点上，释放潜热，成为晶相原子，实现外延生长。实际上此过程远比上述反应复杂，还有许多其他中间产物生成。当气流与基座(包括衬底硅片)接触时，形成边界层，反应剂以及掺杂剂要扩散通过此边界层到达生长层，反应副产物也要扩散通过此边界层返回到主流区。边界层厚度对气流速度很敏感。设计反应器和制定工艺条件时，必须考虑边界层厚度对输运过程的影响。应当调整边界层厚度，以获得均匀的外延层。作为外延衬底的硅抛光片要在反应器内通入HCI气体，于外延沉积前进行气相腐蚀以消除衬底表面的损伤和污染。掺杂是使用气相掺杂法，掺杂剂为硼、磷、砷的卤化物或氢化物，现在多用氢化物如BZH6，PH3，AsH3等。设备硅外延所用设备见图，主要由反应器、加热装置、气体控制系统和氢气净化装置组成。一二几产井移熟脚早必界了班久要截质量控制硅外延片质量直接影响到器件性能。启蚀气体的排气增塑排气增压孔SICI峨硅外延是一排汗节旦一一口七一}匕翟坠二而~，(1匆lb‘/、2)，，大毫很吧辱牢的 111尸，.。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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