1) Auger microanalysis
俄歇电子微量分析
3) Auger quantitative anaysis
俄歇定量分析
4) Auger analysis
俄歇分析
1.
Using the diffusion of galium in SiO_2/Si series,Auger analysis of gallium-diffused silicon wafer is made.
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 。
2.
The arsenic layer of about 10nm deposited on the bubble surface of GaAs that was grown under microgravity condition has been measured by Auger analysis.
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。
5) auger electron spectrum(AES)
俄歇电子分光法
6) Auger electron
俄歇电子
1.
Auger electron energies and their absolute intensities calculation associated with electron capture decay;
伴随电子俘获衰变的俄歇电子能量及强度计算
2.
Objective To investigate the action and mechanism of Auger electron emitting from125IUdR on DNA-targeting radiotherapy ofC6 glioma in rat based on establishment of a C6/Wistar glioma model.
目的在建立C6/Wistar胶质瘤大鼠模型的基础上,研究125IUdR介导俄歇电子释放对大鼠C6胶质瘤DNA靶点放疗后的肿瘤细胞凋亡。
3.
Objective To investigate the action and mechanism of Auger electron emitting from ~(125) IUdR on DNA-targeting radiotherapy of C6 glioma in rat based on establishment of a C6/Wistar glioma model.
目的在建立C6/Wistar胶质瘤大鼠模型的基础上,研究125IUdR介导俄歇电子释放对大鼠C6胶质瘤DNA靶点放疗的作用及其机制。
补充资料：俄歇电子能谱
测定俄歇电子的能量从而获得固体表面组成等信息的技术。处于激发态的原子可能发生两类过程（图1）。一类是内壳层空穴被外壳层电子所填充,由此释放出能量而产生X射线荧光。另一类是电子由外壳层落到内壳层，用所释放出来的能量打出一个其电离势更低的轨道电子（通常为价电子）。后一个过程称为俄歇过程,以发现此过程的法国科学家P.-V.俄歇命名，被打出来的电子称为俄歇电子。用光或电子轰击固体表面，都能产生俄歇效应。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、扫描，因此俄歇电子能谱可以作表面微区分析，并且可以从荧光屏上直接获得俄歇元素像。它是近代考察固体表面的强有力工具，广泛用于各种材料分析以及催化、吸附、腐蚀、磨损等方面的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条