1) thin-film electrode materials
薄膜电极材料
1.
Research progress on all solid-state thin-film lithium battery and thin-film electrode materials;
全固态薄膜锂电池及薄膜电极材料研究进展
2) thermoelectric films
温差电材料薄膜
1.
Bi2-xSbxTe3 thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition.
采用电化学控电位沉积的方法制备了Bi2-xSbxTe3温差电材料薄膜。
2.
Bi_2Te_(3-y)Se_y thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel and gold substrates.
采用控电位电沉积技术以不锈钢和金为基体制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。
3) thermoelectric film
温差电材料薄膜
1.
Bi_2Te_(3-y)Se_y thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel substrates.
采用电化学控电位的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜。
2.
Bi2Te3-ySey thermoelectric films were prepared by potentiostatic electrodeposition on stainless steel substrates, and the morphology, composition and structure of the films were characterized by ESEM, EDS and XRD.
采用电化学控电位沉积的方法在不锈钢基片上电沉积制备了Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜,并采用ESEM、EDS、XRD等方法对电沉积薄膜的形貌、成分及结构进行了表征。
4) AlN electronic thin films
AlN电子薄膜材料
5) thin film TE material
薄膜温差电材料
1.
In the thesis, for the purpose of manufacturing of TE material and characterization of TE material, a set of electrodeposition device and thin film TE material resistivity measurement system are designed.
电沉积作为薄膜温差电材料的一种重要制备方法,日益受到关注,但由于这种方法的应用还处于初始阶段,其配套的制备设备及性能测试设备尚有待开发。
6) Materials for conductive film
导电薄膜材料
补充资料：磁性材料2．薄膜磁性材料
磁性材料2．薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下，其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看，这些柱形畴好像浮着的一群圆泡，故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下，可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失，实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m)，每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕，因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发，已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌，磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小，2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看，以铁氧体磁泡材料比较成熟，早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料，后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜，其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol，的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度，~p，K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条