1) high pure gallium technology
高纯镓工艺
2) high purity gallium
高纯镓
1.
An analytical method using high resolution inductively coupled plasma mass spectrometry(HR-ICP-MS) for rapid simultaneous determination of Be,Mg,Al,Si,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ge,As,Mo,Ag,Cd,In,Sb,Ba,Pb and Bi elements in high purity gallium was described.
建立高分辨电感耦合等离子体质谱法(HR-ICP-MS)测定高纯镓样品中Be、Mg、A l、S i、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N i、Cu、Zn、Ge、As、Mo、Ag、Cd、In、Sb、Ba、Pb、B i等痕量元素的方法。
2.
A method for the determination of trace impurities in high purity gallium by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP MS) was developed.
采用电感耦合等离子体质谱 (ICP MS)测定高纯镓中痕量杂质元素 ,以Rh作为内标补偿校正镓基体的抑制效应 ,采用异丙醚萃取分离镓与ICP MS技术联用 ,拓展分析方法应用范围 ,可满足99 9999%～ 99。
3) GaAs process
砷化镓工艺
1.
Application of SIMS in GaAs process;
二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用
4) high-purity trimethylgallium
高纯三甲基镓
5) high-purity triethylgallium
高纯三乙基镓
6) high-purity triisobutylgallium
高纯三异丁基镓
补充资料：高纯镓
分子式： Ga
CAS号：
性质：一般杂质总含量在10-5以下的金属镓。按镓含量分为5N，6N，7N和8N共四种级别。质软，淡蓝色光泽。熔点29.78℃。沸点2403℃。斜方晶型，各向异性显著。0℃的电阻率沿a，b，c三个轴分别为1.75×10-6Ω·m，8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55 000。采用化学处理、电解精炼、真空蒸馏、区域熔炼、拉单晶等多种工艺方法制备。主要用于电子工业和通讯领域，是制取各种镓化合物半导体的原料，硅、锗半导体的掺杂剂，核反应堆的热交换介质。
CAS号：
性质：一般杂质总含量在10-5以下的金属镓。按镓含量分为5N，6N，7N和8N共四种级别。质软，淡蓝色光泽。熔点29.78℃。沸点2403℃。斜方晶型，各向异性显著。0℃的电阻率沿a，b，c三个轴分别为1.75×10-6Ω·m，8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55 000。采用化学处理、电解精炼、真空蒸馏、区域熔炼、拉单晶等多种工艺方法制备。主要用于电子工业和通讯领域，是制取各种镓化合物半导体的原料，硅、锗半导体的掺杂剂，核反应堆的热交换介质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条