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1)  high pure gallium technology
高纯镓工艺
2)  high purity gallium
高纯镓
1.
An analytical method using high resolution inductively coupled plasma mass spectrometry(HR-ICP-MS) for rapid simultaneous determination of Be,Mg,Al,Si,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ge,As,Mo,Ag,Cd,In,Sb,Ba,Pb and Bi elements in high purity gallium was described.
建立高分辨电感耦合等离子体质谱法(HR-ICP-MS)测定高纯镓样品中Be、Mg、A l、S i、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N i、Cu、Zn、Ge、As、Mo、Ag、Cd、In、Sb、Ba、Pb、B i等痕量元素的方法。
2.
A method for the determination of trace impurities in high purity gallium by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP MS) was developed.
采用电感耦合等离子体质谱 (ICP MS)测定高纯镓中痕量杂质元素 ,以Rh作为内标补偿校正镓基体的抑制效应 ,采用异丙醚萃取分离镓与ICP MS技术联用 ,拓展分析方法应用范围 ,可满足99 9999%~ 99。
3)  GaAs process
砷化镓工艺
1.
Application of SIMS in GaAs process;
二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用
4)  high-purity trimethylgallium
高纯三甲基镓
5)  high-purity triethylgallium
高纯三乙基镓
6)  high-purity triisobutylgallium
高纯三异丁基镓
补充资料:高纯镓
分子式:  Ga
CAS号:

性质:一般杂质总含量在10-5以下的金属镓。按镓含量分为5N,6N,7N和8N共四种级别。质软,淡蓝色光泽。熔点29.78℃。沸点2403℃。斜方晶型,各向异性显著。0℃的电阻率沿a,b,c三个轴分别为1.75×10-6Ω·m,8.20×10-6Ω·m和55.30×10-6Ω·m。超纯镓剩余电阻率比值ρ300K/ρ4.2K为55 000。采用化学处理、电解精炼、真空蒸馏、区域熔炼、拉单晶等多种工艺方法制备。主要用于电子工业和通讯领域,是制取各种镓化合物半导体的原料,硅、锗半导体的掺杂剂,核反应堆的热交换介质。

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参考词条