多晶硅p~+p~-n~+结,polysilicon p~+ p~-n~+ junction,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) polysilicon p~+ p~-n~+ junction

多晶硅p~+p~-n~+结

2) lateral polysilicon p~+p~-n~+junction

横向多晶硅p+p-n+结

The lateral polysilicon p~+p~-n~+junction is fabricated using a commercial CMOS process.

应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。

3) polycrystalline

多晶

Purification and stoichiometric concentration control of ZnSe polycrystalline by zone sublimation method;

ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制

Research on preparation and structure of porous B-doped polycrystalline diamond;

多孔含硼金刚石多晶体的制备与结构研究

Growth and Characterization of Polycrystalline HgI_2 Films on Amorphous-Si Film Substrate;

非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能

4) Polycrystal

多晶

Study of Preparation of Polycrystalline Material of La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3;

La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3多晶靶材制备工艺的研究

Growth of Polycrystalline GaN on Silica Substrate via Ga Nitridation;

采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN

5) polycrystalline silicon

多晶硅

Large grain-sized polycrystalline silicon film obtained by SPC of a-Si: H film deposited by PCVD;

a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜

Status and development of photovoltaic industry and producing technology of polycrystalline silicon;

光伏产业和多晶硅技术现状与发展

ESD protection devices on polycrystalline silicon;

ESD保护器件在多晶硅上的实现

6) multicrystalline silicon

多晶硅

Phosphorous gettering of cast multicrystalline silicon wafers from different positions of the ingot;

铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究

on electrical properties of multicrystalline silicon prepared by metallurgic method was investigated.

利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响。

It is described that a series research of heavy phosphorous diffusion gettering, aluminum and combination of aluminum and phosphorous gettering (evaporation of aluminum on the back of the wafers) are used to fabricate multicrystalline silicon solar cells with different impurity concentration of interstitial oxygen.

对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线。

参考词条

多晶纯钛多晶铜多晶粉末多晶纯镍多晶材料多晶Ca1+xB6 多晶薄膜 ZnSe多晶同质多晶商品房住宅

补充资料：硅多晶的硅烷法制备

硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process

gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引多晶粒多晶型假多晶型多晶石墨多晶合成多晶体

1) polysilicon p~+ p~-n~+ junction 多晶硅p~+p~-n~+结 2) lateral polysilicon p~+p~-n~+junction 横向多晶硅p+p-n+结 1. The lateral polysilicon p~+p~-n~+junction is fabricated using a commercial CMOS process. 应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。 3) polycrystalline 多晶 1. Purification and stoichiometric concentration control of ZnSe polycrystalline by zone sublimation method; ZnSe多晶料的提纯与化学比的控制 2. Research on preparation and structure of porous B-doped polycrystalline diamond; 多孔含硼金刚石多晶体的制备与结构研究 3. Growth and Characterization of Polycrystalline HgI_2 Films on Amorphous-Si Film Substrate; 非晶硅薄膜上碘化汞多晶薄膜的生长及其性能 4) Polycrystal 多晶 1. Study of Preparation of Polycrystalline Material of La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3; La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3多晶靶材制备工艺的研究 2. Growth of Polycrystalline GaN on Silica Substrate via Ga Nitridation; 采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN 5) polycrystalline silicon 多晶硅 1. Large grain-sized polycrystalline silicon film obtained by SPC of a-Si: H film deposited by PCVD; a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜 2. Status and development of photovoltaic industry and producing technology of polycrystalline silicon; 光伏产业和多晶硅技术现状与发展 3. ESD protection devices on polycrystalline silicon; ESD保护器件在多晶硅上的实现 6) multicrystalline silicon 多晶硅 1. Phosphorous gettering of cast multicrystalline silicon wafers from different positions of the ingot; 铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究 2. on electrical properties of multicrystalline silicon prepared by metallurgic method was investigated. 利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响。 3. It is described that a series research of heavy phosphorous diffusion gettering, aluminum and combination of aluminum and phosphorous gettering (evaporation of aluminum on the back of the wafers) are used to fabricate multicrystalline silicon solar cells with different impurity concentration of interstitial oxygen. 对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线。参考词条多晶纯钛多晶铜多晶粉末多晶纯镍多晶材料多晶Ca1+xB6 多晶薄膜 ZnSe多晶同质多晶商品房住宅补充资料：硅多晶的硅烷法制备硅多晶的硅烷法制备 polycrystalline silicon manufacture by silane process gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群) 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com