1) PZT/BI_2TI_2O_7/Si fime
PZT/Bi_2Ti_2O_7/Si薄膜
2) PZT/Bi_2Ti_2O_7 thin films
PZT/Bi_2Ti_2O_7薄膜
3) Bi_2Ti_2O_7 thin films
Bi_2Ti_2O_7薄膜
1.
The growth procedure of the Bi_2Ti_2O_7 thin films using O_2, SF6,CHF3 and SF6/CHF3 gas mixture respectivelywere alsostudied by changing the etching gas composition, pressure, flux and power in a parallel-plate reactive ionetcher.
然后在560℃退火30min得到(111)取向的Bi_2Ti_2O_7薄膜。
4) La(Sm)-doped Bi_2Ti_2O_7 thin films
掺镧(衫)Bi_2Ti_2O_7薄膜
5) PZT thin films
PZT薄膜
1.
A wet-chemical eroding process of PZT thin films is reported.
文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶!凝胶(sol-gel)法获得的,在研究腐蚀溶液组分、温度以及浓度对腐蚀速率影响的基础上,成功获得了PZT薄膜微图形化的湿法腐蚀工艺。
2.
The PZT thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate is prodused by a modified sol-gel method.
采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。
3.
The PZT thin films was used to fabricate V type valve microactuator by its piezoelectric response.
采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了PZT压电薄膜,利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。
6) PZT thin film
PZT薄膜
1.
After rapid thermal annealing (RTA) and conventional furnace annealing (CFA) at different temperatures, the amorphous films were transformed into polycrystalline PZT thin films with (100) and (111) orientation, respectively.
射频磁控溅射法室温下在Pt Ti SiO2 Si上制备非晶Pb(Zr0 4 8Ti0 52 )O3薄膜 ,非晶PZT薄膜分别经常规炉退火(CFA)处理和快速热退火 (RTA)处理晶化为 (10 0 ) ,(111)不同择优取向的多晶薄膜 。
2.
Micro-patterning of PZT thin film is one of the key technologies in the fabrication of micro-sensors and micro-actuators made of PZT films.
PZT薄膜的微图形化是制备基于PZT薄膜微传感器和微驱动器的关键技术之一。
3.
The fabrications of PZT thin films are discussed.
综述了PZT薄膜的制备方法 ,从电极、微观结构和化学成分、生长方向、多层膜结构以及机械应力对性能的影响五个方面介绍了PZT薄膜的研究进展 。
补充资料：PZT
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：见锆钛酸铅陶瓷。
分子量：
CAS号：
性质：见锆钛酸铅陶瓷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条