1) Au/BIT/PZT/BIT/P-Si multilayer ferroelectric thin films
Au/BIT/PZT/BIT/P-Si层状铁电薄膜
2) Au/BIT/PZT/BIT/Si
Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)
3) BIT/PLZT/BIT multilayer ferroelectric film
BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜
4) PZT ferroelectric thin films
PZT铁电薄膜
1.
Preparation and Optical Property of PZT Ferroelectric Thin Films/LaNiO_3 Thin Films Periodic Structure;
PZT铁电薄膜/LaNiO_3薄膜周期结构的制备及其光学性质
2.
Also,PZT ferroelectric thin films deposited on(100)LNO electrode ar.
然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)取向的PZT铁电薄膜。
3.
The sol-gel chemism of the preparation of PZT ferroelectric thin films has been studied by fourier transform infrared (FTIR), 1H and 13C nuclear magnetic resonance (NMR).
1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析。
5) PZT thin film
PZT铁电薄膜
1.
Field-induced displacement properties of nanoscale domain structure in PZT thin film;
PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性
6) PZT ferroelectric thin film
PZT铁电薄膜
1.
Influence of Interface on Properties of PZT Ferroelectric Thin Film;
界面对PZT铁电薄膜性能的影响
补充资料：含铋层状氧化物铁电体
分子式：
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
CAS号：
性质：化学通式为：(Bi2O2)2+(Ax-1BxO3x-1)2-，式中，x为钙钛矿层厚度方向的元胞数，其值为1～5；A为较大阳离子，配位数为12；B为较小阳离子，配位数为6。A、B离子组合应满足∑XAVA+∑XBVB=6x，式中，x为相应于A、B位离子浓度，V为相应于A、B位离子的离子价态。这类层状氧化物中凡具有铁电行为的化合物就称为含铋层状结构氧化物。其结构是由二维钙钛矿层和层有规则地相互交替排列而成，沿层面具有较好的解理性。自发极化强度较高。压电性能和介电性能的各向异性大。居里温度高。自发极化强度、机械品质因素、频率的时间稳定性和温度稳定性都较高。常规陶瓷工艺很难获得致密烧结体，需用热压烧成新工艺。：PbBi2Nb2O9，BaBi2Nb2O9，SrBi2TaO9，Bi4Ti3O12，PbBi4Ti4O15，PbBi4Ti5O18等属这类铁电体。用于制作滤波器，换能器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条