1) Si-based PZT film
硅基PZT薄膜
1.
A Si-based PZT film microcantiever was fabricated.
在硅材料表面沉积PZT薄膜并通过MEMS工艺可以形成硅基PZT薄膜悬臂结构,在外加电场的作用下,悬臂将发生弯曲并输出位移和力,形成微型执行器;在外加集中力和载荷的情况下,可以产生表面感应电荷,借此测量外界力和压力的大小,形成传感单元。
2) PZT thin films
PZT薄膜
1.
A wet-chemical eroding process of PZT thin films is reported.
文中所采用的PZT薄膜是通过溶胶!凝胶(sol-gel)法获得的,在研究腐蚀溶液组分、温度以及浓度对腐蚀速率影响的基础上,成功获得了PZT薄膜微图形化的湿法腐蚀工艺。
2.
The PZT thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate is prodused by a modified sol-gel method.
采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备PZT薄膜,研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。
3.
The PZT thin films was used to fabricate V type valve microactuator by its piezoelectric response.
采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了PZT压电薄膜,利用PZT的压电效应制作以PZT薄膜为驱动的V型阀微驱动器。
3) PZT thin film
PZT薄膜
1.
After rapid thermal annealing (RTA) and conventional furnace annealing (CFA) at different temperatures, the amorphous films were transformed into polycrystalline PZT thin films with (100) and (111) orientation, respectively.
射频磁控溅射法室温下在Pt Ti SiO2 Si上制备非晶Pb(Zr0 4 8Ti0 52 )O3薄膜 ,非晶PZT薄膜分别经常规炉退火(CFA)处理和快速热退火 (RTA)处理晶化为 (10 0 ) ,(111)不同择优取向的多晶薄膜 。
2.
Micro-patterning of PZT thin film is one of the key technologies in the fabrication of micro-sensors and micro-actuators made of PZT films.
PZT薄膜的微图形化是制备基于PZT薄膜微传感器和微驱动器的关键技术之一。
3.
The fabrications of PZT thin films are discussed.
综述了PZT薄膜的制备方法 ,从电极、微观结构和化学成分、生长方向、多层膜结构以及机械应力对性能的影响五个方面介绍了PZT薄膜的研究进展 。
4) PZT film
PZT薄膜
1.
Technical study of micro-mirror based on PZT films in adaptive optics;
微光学自适应技术中基于PZT薄膜的微反射镜工艺研究
2.
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph,properties of PZT film are studied by SEM and XRD.
为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究。
3.
XRD showed that both of the PZT films have perovskite structure.
XRD分析表明,两种PZT薄膜均具有钙钛矿结构,且在LNO底电极上的PZT薄膜呈(100)择优取向,而在LNO/LSTO底电极上的PZT薄膜呈随机取向。
5) PZT films
PZT薄膜
1.
Silicon based PZT films are prepared by the sol-gel process.
用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀。
2.
The microstructures and phase compositions of sol-gel-derived PZT films were analyzed.
利用溶胶凝胶工艺在Pt电极上沉积了PZT薄膜,选用传统退火及其快速退火工艺制备两种Pt基底(CTA-Pt和RTA-Pt),并采用X射线衍射广角及其ω扫描技术分别研究了Pt电极退火工艺对溶胶凝胶PZT结构及其织构演化的影响。
3.
Differential thermal analysis (DTA), thermogravimetric analysis (TGA) of the precursor solution, and the phase transformation of PZT films at different temperatures collectively were utilized to study the phase transformation of PZT material.
通过前驱体溶液的差热(DTA)、热重(TGA)实验以及PZT膜加热到不同温度的物相转化分析了PZT薄膜的相结构演化过程。
6) Y-dopped PZT(40/60) thin films
Y-PZT薄膜
补充资料：9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
CAS: 17962-89-9
分子式: C11H20N4OSi2
中文名称: 9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
英文名称: 9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9H-Purine
O6,9-bis(Trimethylsilyl) hypoxanthine
9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9h-purin
分子式: C11H20N4OSi2
中文名称: 9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
英文名称: 9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9H-Purine
O6,9-bis(Trimethylsilyl) hypoxanthine
9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9h-purin
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条