1) LICVD
激光诱导化学汽相沉积
1.
Effect of technologic parameters on particle diameters of nano-Si produced by LICVD;
制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响
2) laser induced chemical vapor deposition
激光诱导化学气相沉积
1.
By using laser induced chemical vapor deposition method,amorphous silicon nitride nano-powders were prepared.
采用激光诱导化学气相沉积法制备出超细(7~15 nm)、理想化学剂量(N/Si=1。
3) LCLD
激光诱导化学液相沉积
1.
Based on introducing laser-induced chemical liquid deposition(LCLD) technology,a new type of RP system graph based on the technology was presented,and its work process was introduced.
在介绍激光诱导化学液相沉积(LCLD)技术的基础上,本文提出了一种基于该技术的新型快速成型方法,给出了其成型系统原理图,并详细介绍了系统的工作过程。
4) laser induced chemical deposition
激光诱导化学沉积
1.
Using laser induced chemical deposition methods,a local micro - region quick chemical deposition of copper on a nonconductor epoxy resin substrate has been realized.
用激光诱导化学沉积方法在非导体环氧树脂基体上实现微区局部、快速化学沉铜，并用卢瑟福背散射和扫描电镜方法对镀层的形貌、性质进行了观测和分析。
5) laser induced chemical vapour deposition (LICVD)
激光诱导化学气相沉积(LICVD)
6) activated chemical vapor deposition process
激活化学汽相沉积法<光>
补充资料：激光诱导化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
CAS号：
性质： 利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。本方法所用设备是在常规的化学气相沉积设备基础上添加激光器、光路系统及激光功率测量装置。用本方法制备的SiO2及Si3N4薄膜时，衬底温度可低至380℃。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条