1) indium antimonide single crystal InSb
锑化铟单晶
2) InSb single crystal
锑化铟单晶
1.
Shock induced phase transition along the (111) axis of InSb single crystal were studied by using light gas gun techniques, along with the influences of shear stress on the phase transition.
研究表明，剪力对锑化铟单晶相变的诱发水平有重大影
3) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
4) antimony chemical compound
锑化合物
5) indium antimonide
锑化铟
1.
The technical parameters,the principle of operation,and the characters of single-,twin-and three-component infrared analysers which take indium antimonide as controlling element as well as their applications to controlling of atmosphere for heat treating were introduced in this paper.
本文介绍了以锑化铟作为检测元件的单组份、双组份和三组份红外分析仪的技术参数、工作原理、特点以及在热处理气氛控制中的某些作
6) CdTe
锑化镉
1.
In this paper,emphasis is laid on the latest progress and development tendency of the thin film solar cells include amorphous silicon a(Si,Ge):H,thin film polycrystalline silicon,CdTe,Cu(In,Ga)(Se,S)2 and TiO2.
阐述了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池、锑化镉薄膜电池、铜铟镓硒薄膜太阳电池和染料敏化TiO2太阳电池的研究现状,简要介绍了我国薄膜太阳电池研究的进展,指出了太阳电池在我国的应用前景。
参考词条
补充资料：锑化铟单晶
分子式：
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。