1) aluminuim antimonide
锑化铝
2) gallium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝镓
3) indium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝铟
4) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
5) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
6) gallium aluminum antimonide crystal
锑化铝镓晶体
补充资料：磷锑化铝镓
分子式：InxAl1-xSbyP1-y；0≤x≤1；0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。