补充资料：磷砷化铝镓

分子式：Ga_xAl_1-xAs_yP_1-y；0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：

性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，为间接带隙半导体。可在砷化镓衬底上采用液相外延、分子束外延等方法制备。为制作可见光发光器件和激光器件的材料。

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