3) bilayer manganite thin film
双层锰氧化物薄膜
4) Mn doped ZnO thin films
锰掺杂氧化锌薄膜
5) rare earth manganites film
稀土锰氧化物薄膜
6) Doped rare earth manganese oxide film
掺杂稀土锰氧化物薄膜
补充资料：一氧化硅薄膜介质材料
分子式：
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号：
性质：黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40～100pF/mm2，电容温度系数(40～400) ×10-6，介质损耗因数tgδ(1～4) ×10-2，击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条