1) tungsten oxide thin film
氧化钨薄膜
1.
X-ray photoelectron spectrum (XRS) show that there are three main kinds of stoichiometry tungsten oxide in tungsten oxide thin film prepared by r.
由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R。
2) Tungsten Oxide Films
三氧化钨薄膜
1.
In the text, the tungsten oxide films were prepared with sol-gel and reactive magnetron sputtering methods.
本文采用反应磁控溅射法和溶胶凝胶法制备了均匀致密的三氧化钨薄膜材料,对它的光学性质、表面形态、结构等进行了深入的研究。
2.
Study on the Property and Mechanism Sensitive to Hydrogen of Tungsten Oxide Films Doped Catalyst;
由于三氧化钨薄膜在常温下对氢气不敏感,本文采用掺杂改性来改善三氧化钨薄膜材料的氢敏性能,分别采用直流磁控溅射法和溶胶凝胶法制备了均匀的三氧化钨掺铂和掺钯薄膜材料,并对它的光学性质、表面形态、结构等进行了深入的研究。
3) tungsten titanium oxide film
氧化钨钛薄膜
4) WO3-MoO3 thin film
氧化钨钼薄膜
1.
The electrochemistry impedance spectroscopies of ITO plane electrodes and ITO plane electrodes with Ni doped WO3-MoO3 thin film immersed in 1 mol NaCl electrolyte were studied by means of the equivalent circuits.
用溶胶凝胶的方法在ITO导电基片上制备了一组不同掺镍量的氧化钨钼薄膜,分别测量了该系统及ITO电极浸泡于1 mol氯化钠溶液中不同频率下的电化学阻抗,应用等效电路法模拟了该系统的阻抗谱,从而获得了有关掺镍薄膜的电阻、电容及溶液在薄膜内扩散等信息。
6) Ti-doped WO_3 film
钛掺杂氧化钨薄膜
补充资料：银-氧化锡-氧化钨
分子式：
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
CAS号：
性质：银基添加氧化锡和氧化钨的电接触材料。氧化钨(或氧化钼)可改善氧化锡的浸润性，减少接点过热。使用寿命大幅度提高。采用烧结挤压法制造。中等负荷电接触材料，用在各种接触器、电机起动器、低功率断路器等电器中。Ag-11.5SNO2-0.5WO3和Ag-11.2SnO2-0.8MoO3可在很多应用领域代替AgCdO。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条