1) SiO_xN_y gate dielectric
氮氧硅栅介质
2) nitride/oxynitride gate dielectric stack
氮氧叠层栅介质
3) nitrided gate oxide
氮化栅氧化介质
4) Nitrogen-doped Gate Dielectric
掺氮栅氧化硅
5) nitride gate
氮化硅栅
6) N_2O annealed H_2-O_2 grown dielectric
氮化H2-O2合成栅介质
补充资料：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
CAS：68554-53-0
中文名称：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
英文名称：Siloxanes and Silicones, di-Me, (octadecyloxy)-terminated
中文名称：十八烷氧基封端二甲基(硅氧烷与聚硅氧烷)
英文名称：Siloxanes and Silicones, di-Me, (octadecyloxy)-terminated
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条