1)  InP PHEMT
InPPHEMT
2)  InP PHEMT
InP PHEMT
3)  PHEMT
PHEMT
1.
Design of wideband current-mode PHEMT preamplifier;
宽带电流模形式PHEMT前置放大器设计
2.
The Analysis of Evaluation Methods in GaAs PHEMT Devices Reliability;
GaAs PHEMT器件的可靠性评估方法研究
3.
The Co-evaporation Technology of Ohmic Contact in GaAs PHEMT;
PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术
4)  PHEMT
赝质结高电子迁移率晶体管
1.
A novel technique,the multi layered media technology,has been successfully developed to fabricate T shaped gate of pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)by X ray lithography.
半导体器件日益向高频、高速方向发展 ,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速。
5)  PHEMT
膺配高电子迁移率晶体管
6)  PHEMT
高电子迁移率场效应晶体管
1.
The structure of PHEMT is described.
介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。
参考词条
补充资料：indium phosphide (inp)
CAS：22398-80-7
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。