1) PHEMT
赝配超晶格高电子迁移率晶体管
2) optically controlled PHEMT
光控赝配的HEMT
3) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
4) pHEMT
赝配高电子迁移率晶体管
1.
Monolithic Integration of 0.8μm Gate-Length GaAs-Based InGaP/AlGaAs/InGaAs Enhancement-and Depletion-Mode PHEMTs;
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管
2.
MBE Growth of InP Based PHEMT Epitaxial Materials;
分子束外延生长InP基赝配高电子迁移率晶体管外延材料
5) power PHEMT
功率赝配高电子迁移率晶体管
6) enhancement PHEMT
增强型赝配高电子迁移率晶体管
1.
5μm enhancement PHEMT technology.
报道了一种用于卫星通讯系统,基于0·5μm栅长增强型赝配高电子迁移率晶体管的两级级联微波单片低噪声放大器。
参考词条
补充资料：超高晶体密度探头
超高晶体密度探头
超声学检查设备的元件之一。在线形、凸形或相控阵换能器中，将晶体的分割数大幅度增加的探头。其晶体数现已为普通标准探头晶体数的3.5倍或更多。其发射声波的波阵面平滑度接近于凹面晶体的球面波阵面，使失真大为减小。
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